DRAM销售额将历史性地突破1000亿美元,三星也将坐稳半导体龙头宝座?

核心提示:在持续缺货和价格上涨的背景下,近日半导体市场研究机构IC Insights发布的最新报告预测,2018年全球DRAM芯片产业增幅超过30%,总
  在持续缺货和价格上涨的背景下,近日半导体市场研究机构IC Insights发布的最新报告预测,2018年全球DRAM芯片产业增幅超过30%,总产值将突破1000亿美元大关,以24%的市场份额继续稳居IC产品市场规模第一。作为DRAM市场占有率最高的三星,已经在去年成功超越英特尔坐上半导体龙头宝座的三星能否因此保持霸主地位?

       IC产业单个领域产值首次突破1000亿美元

 

 

       DRAM市场销售额增长 资料来源:IBS

       

        IC Insights预计DRAM将占2018年整体芯片销售额的24%,并预测今年销售额第二大的NAND闪存预计将达到628亿美元的规模。IC Insights同时估计,DRAM和NAND将占今年4280亿美元芯片市场的38%。

 

DRAM成IC芯片销售最大来源,来源:IC Insights

 

       当然,无论是DRAM还是NAND的增长,韩国厂商获益最多,其中最大的赢家将是市场份额最高的三星电子,其在DRAM和NAND的市占率分别是45%、37%,比排名第二的SK海力士的28%、10%高很多。

 

DRAM市场份额 Source: IBS

  

        获益颇丰的三星

  自1992年以来,英特尔一直是全球最大的半导体厂商,然而得益于芯片业务的推动,2017年第四季度,三星凭借芯片业务690亿美元的销售额碾压英特尔630亿美元的销售额,26年来首次挤下英特尔成为全球最大芯片制造商。

  雷锋网还了解到,IC Insights五月份公布的统计数据显示,2018年第一季度三星的芯片销售额为186亿美元排名第二的英特尔为158亿美元。从增长率看,三星的增长率高达43%,而英特尔的增长率只有11%。并且,三星的零部件销售额在今年上半年已经超过手机部门。数据显示,上半年三星电子设备解决方案(DS)部门(也称零部件事业部)销售额为56.05万亿韩元(约合人民币3400亿元),占三星整体销售额的47.1%;生产智能手机的IT&移动通信销售占比为44.1%,生产电视和其他家电产品的CE部门的销售占比为16.9%。

  从营业利润来看,主要生产半导体和显示器产品的DS部门的增长更加明显,2013年DS部门的营业利润在公司整体营业利润中占38.8%,2014年为25.5%,2015年和2016年分别为27.2%和37.7%,去年为56.4%,今年上半年高达76.9%。相比之下,IT&移动通信事业部的营业利润虽然从2013年到2016年占公司总营业利润的一半以上,特别是2015年达到67.8%,但去年大幅跌至38.4%,今年上半年仅为21.1%。

 

 

     三星能坐稳半导体龙头的宝座吗?

  因此,三星能否在半导体龙头宝座上坐稳,存储芯片就成为了关键。我们从替代技术和市场两方面去寻找答案。内基梅隆大学的研究者 Kevin Chang 指出:“过去二十年来,基于DRAM 的计算机内存的存取带宽已经提升了20倍,容量增长了128倍,但延迟表现仅有 1.3 倍的提升。”

  如今的计算机需要大量高速度、高容量的内存才能保证持续运转,尤其是工作重心是内存数据库、数据密集型分析以及越来越多的机器学习和深度神经网络训练功能的数据中心服务器。尽管研究人员已经在寻找更好、更快的替代技术上努力了很多年,但在性能优先的任务上,DRAM仍旧是人们普遍采用的选择,这有助于解释2017年的DRAM销量激增。

  另外,DRAM 被认为是一个成熟的技术,虽快但功率需求大,当前或未来有望替代 DRAM 的技术有很多,如3D XPoint、MRAM、ReRAM,但专家们似乎认为这些技术还没有替代 DRAM 的性价比优势。DRAM也有技术上规划的改进方案以及HBM2和Hybrid Memory Cube等新型DRAM架构,需要指出的是DRAM和CPU之间的速度差距依然还是存在。

  需求方面,过去两年由于需求的一直增长,但制造商的产能提升有限。从事DRAM和NAND研究的DRAMeXchange报道,由于三星,SK海力士和美光等主要制造商的产能投资需要时间,今年存储器产能只增长了19.6%,达到历史新低。

  DRAMeXchange的数据同时预测,2018年DRAM芯片需求预计将增长30%以上。由于制造商专注于满足智能手机和数据中心的需求,因此今年DRAM市场的供应将继续受到限制。因此,无论是从替代的技术还是市场需求来看,DRAM的增长动力并未有减弱的迹象,并且三星也在积极推出新产品。

  了解到,上月三星电子宣布首发量产8Gb LPDDR5颗粒,速率可达6400Mbps,比现有LPDDR4-4266内存快50%,同时功耗降低30%。不过需要指出的是,宣传上三星表示8Gb LODDR5采用10nm级别的工艺,但10nm级并不是10nm工艺,结合此前发布的产品应该还是18nm工艺。

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